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V30150C, VF30150C, VB30150C & VI30150C
Vishay General Semiconductor
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Document Number: 89047
Revision: 24-Jun-09
2
Notes
(1)
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle
(2)
Pulse test: Pulse width
≤
40 ms
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA
= 25 °C unless otherwise noted)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS SYMBOL TYP. MAX. UNIT
Breakdown voltage IR
= 1.0 mA T
A
= 25 °C V
BR
150 (minimum) - V
Instantaneous forward voltage per diode
(1)
IF
= 5 A
IF
= 7.5 A
IF
= 15 A
TA
= 25 °C
VF
0.72
0.81
1.11
-
-
1.36
V
IF
= 5 A
IF
= 7.5 A
IF
= 15 A
TA
= 125 °C
0.56
0.61
0.71
-
-
0.79
Reverse current per diode
(2)
VR
= 100 V
TA
= 25 °C
TA
= 125 °C
IR
1.5
2
-
-
μA
mA
VR
= 150 V
TA
= 25 °C
TA
= 125 °C
-
4
200
20
μA
mA
THERMAL CHARACTERISTICS (TA
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER SYMBOL V30150C VF30150C VI30150C VI30150C UNIT
Typical thermal resistance per diode RθJC
2.2 4.5 2.2 2.2 °C/W
ORDERING INFORMATION
(Example)
PACKAGE PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (g) PACKAGE CODE BASE QUANTITY DELIVERY MODE
TO-220AB V30150C-E3/4W 1.89 4W 50/tube Tube
ITO-220AB VF30150C-E3/4W 1.75 4W 50/tube Tube
TO-263AB VB30150C-E3/4W 1.39 4W 50/tube Tube
TO-263AB VB30150C-E3/8W 1.39 8W 800/reel Tape and reel
TO-262AA VI30150C-E3/4W 1.46 4W 50/tube Tube
Figure 1. Maximum Forward Current Derating Curve
Case Temperature (°C)
A
v
erage For
w
ard Rectified C
u
rrent (A)
40
30
0
0 25 50 75 100 125 150 175
V(B,I)30150C
Resistive or Inductive Load
Mounted on Specific Heatsink
20
10
VF30150C
Figure 2. Forward Power Loss Characteristics Per Diode
0
2
6
14
024
8
1214 116
8
Average Forward Current (A)
A
v
erage Po
w
er Loss (
W
)
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.3
D = 0.5
D = 0.8
D = 1.0
6
4
10
10
12
8
D = tp/T tp
T
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